STB28N65M2
Производитель Номер продукта:

STB28N65M2

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STB28N65M2-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

12872378
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
aXTL
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STB28N65M2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ M2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1440 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
170W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
STB28

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
497-15456-6
497-15456-2
497-15456-1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IXFA22N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
250
Номер части
IXFA22N65X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.56
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STD18NF03L

MOSFET N-CH 30V 17A DPAK

stmicroelectronics

STB18N60M6

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

stmicroelectronics

STN1N20

MOSFET N-CH 200V 1A SOT223

stmicroelectronics

STW33N60M2

MOSFET N-CH 600V 26A TO247