Производитель Номер продукта:
IXFA22N65X2
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFA22N65X2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Подробное описание:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Инвентаризация:
250 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12819760
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFA22N65X2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Ultra X2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2310 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
390W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263HV
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IXFA22
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
IXFA22N65X2X
IXFA22N65X2XINACTIVE
IXFA22N65X2X-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTA28P065T
MOSFET P-CH 65V 28A TO263
IXFT140N20X3HV
MOSFET N-CH 200V 140A TO268HV
IXTQ130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO3P