Производитель Номер продукта:
EMF21T2R
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
EMF21T2R-DG
Описание:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Инвентаризация:
13523873
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
EMF21T2R Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип транзистора
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA, 500mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V, 12V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250MHz, 260MHz
Мощность - Макс
150mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
EMT6
Базовый номер продукта
EMF21
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
1056-EMF21T2
EMF21T2R-ND
EMF21T2RCT
EMF21T2RTR
1056-EMF21T2R-CHP
EMF21T2RDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
EMA3T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
EMD4T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMG8T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5