Производитель Номер продукта:
EMG8T2R
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
EMG8T2R-DG
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Инвентаризация:
7975 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13523956
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
RMcW
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
EMG8T2R Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
4.7kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250MHz
Мощность - Макс
150mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Комплект устройства поставщика
EMT5
Базовый номер продукта
EMG8T2
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
EMG8T2RCT
EMG8T2RTR
EMG8T2RDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NSB1706DMW5T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4465
Номер части
NSB1706DMW5T1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
EMB11FHAT2R
TRANS 2PNP 100MA EMT6
FMC3AT148
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5
IMD8AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6