Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Tajikistan
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Tajikistan
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPB60R190P6ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB60R190P6ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13063974
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB60R190P6ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ P6
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 630µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1750 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
151W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPB60R190P6ATMA1
HTML Спецификация
IPB60R190P6ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB60R190P6ATMA1CT
2156-IPB60R190P6ATMA1
SP001364462
ROCINFIPB60R190P6ATMA1
IPB60R190P6ATMA1DKR
IPB60R190P6ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
R6024ENJTL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
831
Номер части
R6024ENJTL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.59
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPB60R180P7ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2501
Номер части
IPB60R180P7ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.88
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB31N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STB31N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.84
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB28N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STB28N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.53
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SIHB22N60EL-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SIHB22N60EL-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.94
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD60R520C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
IPD30N08S222ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
IPA60R950C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
IPC60R070C6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE