IPB60R190P6ATMA1
Производитель Номер продукта:

IPB60R190P6ATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPB60R190P6ATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Инвентаризация:

13063974
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPB60R190P6ATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ P6
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 630µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1750 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
151W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB60R

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB60R190P6ATMA1CT
2156-IPB60R190P6ATMA1
SP001364462
ROCINFIPB60R190P6ATMA1
IPB60R190P6ATMA1DKR
IPB60R190P6ATMA1TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
R6024ENJTL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
831
Номер части
R6024ENJTL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.59
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPB60R180P7ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2501
Номер части
IPB60R180P7ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.88
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB31N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STB31N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.84
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB28N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STB28N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.53
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SIHB22N60EL-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SIHB22N60EL-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.94
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPD60R520C6BTMA1

MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3

infineon-technologies

IPD30N08S222ATMA1

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

infineon-technologies

IPA60R950C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP

infineon-technologies

IPC60R070C6UNSAWNX6SA1

MOSFET N-CH BARE DIE