SQ4410EY-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQ4410EY-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQ4410EY-T1_GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 30 V 15A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

9733 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920736
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQ4410EY-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2385 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SQ4410

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SQ4410EY-T1-GE3-DG
SQ4410EY-T1-GE3
SQ4410EY-T1_GE3TR
SQ4410EY-T1_GE3DKR
SQ4410EY-T1_GE3CT
SQ4410EY-T1_GE3-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIR800ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK

vishay-siliconix

SUM50P10-42-E3

MOSFET N-CH 100V 36A TO263

vishay-siliconix

SIHH180N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8

onsemi

2SJ652-1E

MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG