Производитель Номер продукта:
TK39A60W,S4VX
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK39A60W,S4VX-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
47 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891375
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
7O8D
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK39A60W,S4VX Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK39A60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK39A60WS4VX
TK39A60W,S4VX(M
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN67D8LT-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
TPC8110(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 40V 8A 8SOP
T2N7002AK,LM
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
