TK39A60W,S4VX
Производитель Номер продукта:

TK39A60W,S4VX

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

TK39A60W,S4VX-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Инвентаризация:

47 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891375
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
h7ZE
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TK39A60W,S4VX Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK39A60

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
TK39A60WS4VX
TK39A60W,S4VX(M

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMN67D8LT-7

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8110(TE12L,Q,M)

MOSFET P-CH 40V 8A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

T2N7002AK,LM

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2866(F)

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB