Производитель Номер продукта:
TK32E12N1,S1X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK32E12N1,S1X-DG
Описание:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Подробное описание:
N-Channel 120 V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
78 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889193
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
UGcZ
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK32E12N1,S1X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
98W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
TK32E12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK32E12N1S1X
TK32E12N1,S1X(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK4A60DB(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
TK20A60W,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
