Производитель Номер продукта:
TK290P65Y,RQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK290P65Y,RQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
12890913
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Gt8J
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK290P65Y,RQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
DTMOSV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 450µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
730 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TK290P65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
TK290P65Y,RQ(S
TK290P65YRQDKR
TK290P65YRQCT
TK290P65YRQTR
TK290P65YRQ(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM3K35MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
TPN5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
TK10A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
