Производитель Номер продукта:
TK100E08N1,S1X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK100E08N1,S1X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Подробное описание:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
57 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889125
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
vkFt
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK100E08N1,S1X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9000 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
255W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
TK100E08
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SK2993(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM
SSM3K72CFS,LF
MOSFET N-CH 60V 170MA SSM
TK4P55DA(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK
