Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Tajikistan
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Tajikistan
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
RN4986FE,LF(CT
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN4986FE,LF(CT-DG
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Инвентаризация:
3745 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890654
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN4986FE,LF(CT Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
4.7kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250MHz, 200MHz
Мощность - Макс
100mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
ES6
Базовый номер продукта
RN4986
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
RN4986FE
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
RN4986FE(T5LFT)CT-DG
RN4986FELF(CBCT-DG
RN4986FELF(CTCT
RN4986FE,LF(CB
RN4986FELF(CBDKR-DG
RN4986FE(T5L,F,T)
RN4986FELF(CBTR-DG
RN4986FE(T5LFT)TR
RN4986FE(T5LFT)TR-DG
RN4986FELF(CTTR
RN4986FELF(CBDKR
RN4986FELF(CBCT
RN4986FE(T5LFT)DKR
RN4986FE(T5LFT)DKR-DG
RN4986FELF(CTDKR
RN4986FELF(CBTR
RN4986FE(T5LFT)CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PEMD13,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3987
Номер части
PEMD13,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.06
Тип замещения
Similar
Номер детали
NSBC143ZDXV6T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
15499
Номер части
NSBC143ZDXV6T1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.05
Тип замещения
Similar
Номер детали
PEMH13,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8000
Номер части
PEMH13,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.07
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN2505TE85LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
DDA123JK-7-F
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
RN1707,LF
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
RN2708,LF
PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH