Производитель Номер продукта:
RN2503(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN2503(TE85L,F)-DG
Описание:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
Инвентаризация:
2678 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891494
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Qy9a
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN2503(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
22kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
200MHz
Мощность - Макс
300mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-74A, SOT-753
Комплект устройства поставщика
SMV
Базовый номер продукта
RN2503
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN2503(TE85LF)DKR
RN2503(TE85LF)TR
RN2503(TE85LF)CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FMA1AT148
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2551
Номер части
FMA1AT148-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.09
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN2709JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2510(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN2504(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
