Производитель Номер продукта:
RN1904,LF(CT
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1904,LF(CT-DG
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889581
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
SoWj
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1904,LF(CT Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
47kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250MHz
Мощность - Макс
200mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
US6
Базовый номер продукта
RN1904
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN1904LF(CTDKR
RN1904LF(CTCT-DG
RN1904LF(CT
RN1904LF(CTCT
264-RN1904,LF(CT
RN1904LF(CTTR-DG
RN1904,LF(CB
RN1904T5LFT
RN1904(T5LFT)DKR-DG
RN1904(T5LFT)CT-DG
RN1904(T5LFT)TR-DG
264-RN1904,LF(CTDKR
RN1904(T5LFT)TR
RN1904LF(CTDKR-DG
RN1904(T5LFT)CT
RN1904(T5LFT)DKR
RN1904(T5L,F,T)
RN1904LF(CT-DG
RN1904LF(CTTR
264-RN1904,LF(CTTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN2712JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN4991FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
RN2902FE(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
