Производитель Номер продукта:
HN3C51F-BL(TE85L,F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
HN3C51F-BL(TE85L,F-DG
Описание:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Инвентаризация:
12889539
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
QUqT
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HN3C51F-BL(TE85L,F Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
120V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
350 @ 2mA, 6V
Мощность - Макс
300mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-74, SOT-457
Комплект устройства поставщика
SM6
Базовый номер продукта
HN3C51
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
HN3C51F-BL(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-BL(TE85L,F)
HN3C51F-BLTE85LF
HN3C51F-BL (TE85L,F
HN3C51F-BL(TE85LFCT
HN3C51FBL(TE85LFTR
HN3C51F-BL(TE85LF)TR-DG
HN3C51FBL(TE85LFTR-DG
HN3C51F-BL(TE85LF)CT
HN3C51F-BL(TE85LF)DKR
HN3C51F-BL(TE85LF)TR
HN3C51F-BL(TE85LFTR
HN3C51F-BL(TE85LF)DKR-DG
HN3C51F-BL(TE85LFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
2SC4117-BL,LF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
16200
Номер части
2SC4117-BL,LF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BC847CDLP-7
TRANS 2NPN 45V 0.1A 6DFN
HN1C01FE-Y,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6