Производитель Номер продукта:
HN1B01FU-GR,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
HN1B01FU-GR,LF-DG
Описание:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW, 210mW Surface Mount US6
Инвентаризация:
2960 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890675
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HN1B01FU-GR,LF Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN, PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
150mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 10mA, 100mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Мощность - Макс
200mW, 210mW
Частота - переход
150MHz
Рабочая температура
125°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
US6
Базовый номер продукта
HN1B01
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
HN1B01FU-GRLFCT
HN1B01FUGRLFTDKR
HN1B01FU-GR,LF(B
HN1B01FUGRLFT
HN1B01FU-GR,LF(T
HN1B01FUGRLFTTR
HN1B01FU-GRLFDKR
HN1B01FU-GRLF
HN1B01FUGRLFTCT-DG
HN1B01FU-GRLF-DG
HN1B01FU-GRLFINACTIVE
HN1B01FU-GRLFTR
HN1B01FUGRLFTCT
HN1B01FUGRLFTDKR-DG
HN1B01FUGRLFTTR-DG
HN1B01FU-GR(L,F,T)
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ULN2004APG,C,N
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
ULN2004AFWG,N,E
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL
HN1A01FU-Y,LF
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
