Производитель Номер продукта:
STW60NE10
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STW60NE10-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
12879150
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
9enS
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STW60NE10 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
STripFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
180W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
STW60N
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
497-2643-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTQ75N10P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3
Номер части
IXTQ75N10P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.44
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXTH110N10L2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXTH110N10L2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
12.20
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STB36NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
STWA45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STF28N60M2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP