Производитель Номер продукта:
STP12NM50
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP12NM50-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
756 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12877100
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Q86e
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP12NM50 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
350mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
160W (Tc)
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-2666-5
1026-STP12NM50
497-2666-5-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STP5N120
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STL16N65M2
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
