Производитель Номер продукта:
SCT3160KLHRC11
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
SCT3160KLHRC11-DG
Описание:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W Through Hole TO-247N
Инвентаризация:
669 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526232
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
yCJj
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT3160KLHRC11 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.6V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
398 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
103W
Рабочая температура
175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247N
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCT3160
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RQ5C030TPTL
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
RSD046P05TL
MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
RK7002BT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
