RQ3P045ATTB1
Производитель Номер продукта:

RQ3P045ATTB1

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

RQ3P045ATTB1-DG

Описание:

PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Подробное описание:
P-Channel 100 V 4.5A (Ta), 14.5A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Инвентаризация:

2620 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13371543
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

RQ3P045ATTB1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
86mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1990 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 20W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSMT (3.2x3)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
RQ3P045

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
846-RQ3P045ATTB1TR
846-RQ3P045ATTB1CT
846-RQ3P045ATTB1DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TQM070NH04CR RLG

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G130N06S

MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8