Производитель Номер продукта:
R6004JND3TL1
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6004JND3TL1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Подробное описание:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13525129
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6004JND3TL1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.43Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
7V @ 450µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.5 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
260 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
60W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
R6004
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
R6004JND3TL1DKR
R6004JND3TL1CT
R6004JND3TL1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RD3L080SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
RSD200N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
RSS110N03TB
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP