Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Tajikistan
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Tajikistan
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NP100P06PDG-E1-AY
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
NP100P06PDG-E1-AY-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Подробное описание:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12859983
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
L
y
K
f
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NP100P06PDG-E1-AY Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15000 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
NP100P06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NP100P06PDG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
NP100P06PDG-E1-AY-DG
2832-NP100P06PDG-E1-AY
559-NP100P06PDG-E1-AYCT
-1161-NP100P06PDG-E1-AYCT
559-NP100P06PDG-E1-AYTR
559-NP100P06PDG-E1-AYDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SUM110P06-07L-E3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
99907
Номер части
SUM110P06-07L-E3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.59
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB60R060C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
HAT2116H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
NTMFS4839NHT1G
MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
IRFI540GPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3