Производитель Номер продукта:
NVF2955T1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVF2955T1G-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Подробное описание:
P-Channel 60 V 2.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Инвентаризация:
3990 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12847799
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVF2955T1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
492 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223 (TO-261)
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
NVF2955
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
NVF2955T1GOSDKR-DG
488-NVF2955T1GDKR
NVF2955T1GOSCT-DG
488-NVF2955T1GTR
NVF2955T1G-DG
NVF2955T1GOSTR-DG
NVF2955T1GOSCT
488-NVF2955T1GCT
NVF2955T1GOSTR
NVF2955T1GOSDKR
2156-NVF2955T1G-OS
ONSONSNVF2955T1G
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDPF33N25T
MOSFET N-CH 250V 33A TO220F
FQP33N10L
MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
FDFM2N111
MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
