Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Tajikistan
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Tajikistan
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NVD4806NT4G-VF01
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVD4806NT4G-VF01-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 1.4W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12972389
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
Y
x
E
j
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVD4806NT4G-VF01 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.3A (Ta), 79A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 11.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
37 nC @ 11.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2142 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Ta), 68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
NVD4806
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
488-NVD4806NT4G-VF01TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTPF600N80S3Z
SF3 800V 600MOHM TO-220F
SC9611MX
MOSFET N-CH SMD
PJQ5494_R2_00001
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
IRF820PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB