MUN5112DW1T1G
Производитель Номер продукта:

MUN5112DW1T1G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

MUN5112DW1T1G-DG

Описание:

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Инвентаризация:

5576 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12853498
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
MIKh
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

MUN5112DW1T1G Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
22kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
250mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SC-88/SC70-6/SOT-363
Базовый номер продукта
MUN5112

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2156-MUN5112DW1T1G-OS
ONSONSMUN5112DW1T1G
488-MUN5112DW1T1GDKR
MUN5112DW1T1G-DG
488-MUN5112DW1T1GTR
488-MUN5112DW1T1GCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

MUN5211DW1T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

onsemi

MUN5111DW1T1G

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

onsemi

MUN5237DW1T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

onsemi

MUN5211DW1T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363