Производитель Номер продукта:
MJE170
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
MJE170-DG
Описание:
TRANS PNP 40V 3A TO126
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole TO-126
Инвентаризация:
12852643
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MJE170 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
3 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
40 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.7V @ 600mA, 3A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Мощность - Макс
12.5 W
Частота - переход
50MHz
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Комплект устройства поставщика
TO-126
Базовый номер продукта
MJE170
Технический паспорт и документы
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
MJE170OS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Альтернативные модели
Номер детали
MJE170G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2379
Номер части
MJE170G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.26
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
KSH112GTM_SB82051
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
MPSA12_D75Z
TRANS NPN DARL 20V 1.2A TO92-3
KSC5030FRTU
TRANS NPN 800V 6A TO3PF
