Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Tajikistan
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Tajikistan
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
MJD112T4G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
MJD112T4G-DG
Описание:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12848809
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
H
N
F
k
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MJD112T4G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Darlington
Ток - коллектор (IC) (макс.)
2 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
3V @ 40mA, 4A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
20µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Мощность - Макс
20 W
Частота - переход
25MHz
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект устройства поставщика
DPAK
Базовый номер продукта
MJD112
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
MJD112T4G
HTML Спецификация
MJD112T4G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
2156-MJD112T4G-OS
MJD112T4GOSTR
MJD112T4GOS-DG
MJD112T4GOS
MJD112T4GOSCT
ONSONSMJD112T4G
MJD112T4GOSDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NJVMJD112T4G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2500
Номер части
NJVMJD112T4G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.24
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
NJVMJD112G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
NJVMJD112G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.22
Тип замещения
Direct
Номер детали
MJD112T4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
9138
Номер части
MJD112T4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.26
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BD437TG
TRANS NPN 45V 4A TO126
SS9014CTA
TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
PBSS303PX,115
TRANS PNP 30V 5.1A SOT89
MMBTA56
BJT SOT23 -80V -500MA PNP 0.25W