Производитель Номер продукта:
FQD4P25TM-WS
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQD4P25TM-WS-DG
Описание:
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Подробное описание:
P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
12839414
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
qgE1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQD4P25TM-WS Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
420 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FQD4P25
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FQD4P25TM_WS-DG
FQD4P25TM_WSDKR-DG
FQD4P25TM-WSDKR
FQD4P25TM-WSTR
FQD4P25TM_WS
FQD4P25TM-WSCT
FQD4P25TM_WSDKR
FQD4P25TM_WSTR
FQD4P25TM_WSCT-DG
FQD4P25TM_WSCT
FQD4P25TM_WSTR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDS7288N3
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
NTD4906NA-35G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
FQPF3N25
MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F