FDS6681Z
Производитель Номер продукта:

FDS6681Z

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDS6681Z-DG

Описание:

MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Подробное описание:
P-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

19722 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12838916
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDS6681Z Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7540 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
FDS6681

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDS6681Z-DG
2156-FDS6681Z-OS
FDS6681ZDKR
FDS6681ZCT
FDS6681ZTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

AUIRFS6535

MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK

infineon-technologies

BSC340N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5

onsemi

FQPF1N60

MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F

onsemi

FQD7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK