Производитель Номер продукта:
FDMS8622
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMS8622-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Подробное описание:
N-Channel 100 V 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
10600 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12839486
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMS8622 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
56mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 31W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
FDMS86
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDMS8622TR
FDMS8622CT
FDMS8622DKR
FDMS8622-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD70N03RG
MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
FDP2614
MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
NVF3055-100T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223