FDMS86181
Производитель Номер продукта:

FDMS86181

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDMS86181-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Подробное описание:
N-Channel 100 V 44A (Ta), 124A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Инвентаризация:

5232 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12923400
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
pXaG
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDMS86181 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
44A (Ta), 124A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4125 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
FDMS86

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2832-FDMS86181TR
ONSONSFDMS86181
FDMS86181DKR
FDMS86181TR
FDMS86181CT
2156-FDMS86181-OS
FDMS86181-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microsemi

JANTXV2N6796

MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF

onsemi

FQP3N30

MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3

microsemi

JANTXV2N7228

MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA

microsemi

JAN2N6798

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39