Производитель Номер продукта:
FDB1D7N10CL7
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDB1D7N10CL7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12838601
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
rPaM
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDB1D7N10CL7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
268A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.65mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
163 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11600 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
FDB1D7
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
FDB1D7N10CL7-DG
488-FDB1D7N10CL7TR
488-FDB1D7N10CL7CT
488-FDB1D7N10CL7DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQPF2N60C
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
FQD12N20TM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
FDPF4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
