Производитель Номер продукта:
FCP850N80Z
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FCP850N80Z-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
766 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12847323
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
YrgY
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCP850N80Z Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
SuperFET® II
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
850mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 600µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1315 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FCP850
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
2156-FCP850N80Z-OS
ONSONSFCP850N80Z
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTP4N65X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
232
Номер части
IXTP4N65X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.12
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDN361AN
MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
FDD8778
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
BSD314SPEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
