Производитель Номер продукта:
PHE13009/DG,127
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PHE13009/DG,127-DG
Описание:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
3680 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947849
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
XgSJ
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PHE13009/DG,127 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
12 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
400 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
2V @ 1.6A, 8A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
8 @ 5A, 5V
Мощность - Макс
80 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
912
Другие названия
WENNXPPHE13009/DG,127
2156-PHE13009/DG,127
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMSS3904135
NOW NEXPERIA PMSS3904 - SMALL SI
NZT753
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 10
PHE13003C,126
NOW WEEN - PHE13003C - POWER BIP
