PHE13009/DG,127
Производитель Номер продукта:

PHE13009/DG,127

Product Overview

Производитель:

NXP USA Inc.

Номер детали:

PHE13009/DG,127-DG

Описание:

NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

3680 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947849
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
tUDO
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PHE13009/DG,127 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
12 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
400 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
2V @ 1.6A, 8A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
8 @ 5A, 5V
Мощность - Макс
80 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Комплект устройства поставщика
TO-220AB

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
912
Другие названия
WENNXPPHE13009/DG,127
2156-PHE13009/DG,127

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nxp-semiconductors

PMSS3904135

NOW NEXPERIA PMSS3904 - SMALL SI

fairchild-semiconductor

NZT753

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 10

nxp-semiconductors

PHE13003C,126

NOW WEEN - PHE13003C - POWER BIP

nxp-semiconductors

PMBT4403YSX

TRANS PNP 40V 0.6A SOT23