Производитель Номер продукта:
PBSS5612PA,115
Product Overview
Производитель:
NXP Semiconductors
Номер детали:
PBSS5612PA,115-DG
Описание:
NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 6 A 60MHz 2.1 W Surface Mount 3-HUSON (2x2)
Инвентаризация:
99332 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12996680
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Q5Xg
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PBSS5612PA,115 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
6 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
12 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 300mA, 6A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
190 @ 2A, 2V
Мощность - Макс
2.1 W
Частота - переход
60MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
3-PowerUDFN
Комплект устройства поставщика
3-HUSON (2x2)
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,777
Другие названия
2156-PBSS5612PA,115-954
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SA2022
2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
BSR16/DG/B4215
NEXPERIA BSR16 - SMALL SIGNAL BI
2SC3661-TB-E
2SC3661 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
