Производитель Номер продукта:
NTE81
Product Overview
Производитель:
NTE Electronics, Inc
Номер детали:
NTE81-DG
Описание:
TRANS NPN 30V 0.5A TO99
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-99
Инвентаризация:
27 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12923343
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Qpfe
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTE81 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
NTE Electronics, Inc.
Упаковка
Bag
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
30 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.2V @ 30mA, 300mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
15nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Мощность - Макс
625 mW
Частота - переход
250MHz
Рабочая температура
-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-99-6 Metal Can
Комплект устройства поставщика
TO-99
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2368-NTE81
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
