Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Tajikistan
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Tajikistan
Переключить:
Английский
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
PUMH1/DG/B3,115
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
PUMH1/DG/B3,115-DG
Описание:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12828393
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PUMH1/DG/B3,115 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Nexperia
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
22kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA
Частота - переход
230MHz
Мощность - Макс
300mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
6-TSSOP
Базовый номер продукта
PUMH1
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
934066963115
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
RN1903,LF(CT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
50
Номер части
RN1903,LF(CT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
Similar
Номер детали
DCX124EUQ-7-F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3000
Номер части
DCX124EUQ-7-F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Similar
Номер детали
DCX124EU-7-F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
160655
Номер части
DCX124EU-7-F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.05
Тип замещения
Similar
Номер детали
MUN5212DW1T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
10735
Номер части
MUN5212DW1T1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
Similar
Номер детали
NSVMUN5212DW1T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
13124
Номер части
NSVMUN5212DW1T1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PUMD14,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PUMD15,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PBLS6004D,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
PUMH9,135
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP