Производитель Номер продукта:
IXFH16N120P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFH16N120P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 16A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Инвентаризация:
998 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12821830
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFH16N120P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
950mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
660W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AD (IXFH)
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IXFH16
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTH150N15X4
MOSFET N-CH 150V 150A TO247
IXTH110N10L2
MOSFET N-CH 100V 110A TO247
IXTF6N200P3
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
