Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Tajikistan
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Tajikistan
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRL6372TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRL6372TRPBF-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
13964 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12808963
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
k
6
y
7
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRL6372TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.1A
Rds On (макс.) @ id, vgs
17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 10µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1020pF @ 25V
Мощность - Макс
2W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SO
Базовый номер продукта
IRL6372
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IRL6372TRPBF
HTML Спецификация
IRL6372TRPBF-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
IRL6372TRPBFDKR
IRL6372TRPBFTR
IRL6372TRPBFCT
SP001569038
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF5852TR
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
IRF40H233XTMA1
MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON
IRF7106
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
IRF7750TR
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP