Производитель Номер продукта:
IRF540NPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF540NPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
148341 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804167
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
bzh1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF540NPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1960 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
130W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRF540
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
64-0092PBF-DG
64-0092PBF
*IRF540NPBF
SP001561906
2156-IRF540NPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFH7184ATRPBF
MOSFET N-CH 8-TDSON
IPP60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
IPD200N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3