Производитель Номер продукта:
2N5598
Product Overview
Производитель:
General Semiconductor
Номер детали:
2N5598-DG
Описание:
LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 2 A 20 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Инвентаризация:
18 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947073
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
CWAg
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N5598 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
General Semiconductor (Vishay)
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
2 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
850mV @ 200µA, 1mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
-
Мощность - Макс
20 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-213AA, TO-66-2
Комплект устройства поставщика
TO-66 (TO-213AA)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8
Другие названия
2156-2N5598
GSIGSI2N5598
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
