FCP600N60Z
Производитель Номер продукта:

FCP600N60Z

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FCP600N60Z-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

781 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946347
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
LW39
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FCP600N60Z Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
SuperFET® II
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1120 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
89W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Дополнительная информация

Стандартный пакет
258
Другие названия
2156-FCP600N60Z
ONSFSCFCP600N60Z

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FCP4N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

international-rectifier

AUIRFS3806

MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK6607-55C,118

NOW NEXPERIA BUK6607-55C - 100A,

fairchild-semiconductor

FDP8860

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8