UMG4N-7
Производитель Номер продукта:

UMG4N-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

UMG4N-7-DG

Описание:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353

Инвентаризация:

12906789
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
E3yd
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

UMG4N-7 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
-
Частота - переход
250MHz
Мощность - Макс
150mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Комплект устройства поставщика
SOT-353
Базовый номер продукта
UMG4

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075

Альтернативные модели

Номер детали
UMG4NTR
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2855
Номер части
UMG4NTR-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.07
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

PEMD30,315

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666

nexperia

PEMD16,115

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666

nexperia

PUMD16,115

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP

nexperia

PRMB11Z

TRANS PREBIAS 2PNP 50V DFN1412-6