Производитель Номер продукта:
DXTN10060DFJBWQ-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DXTN10060DFJBWQ-7-DG
Описание:
TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 125MHz 1.8 W Surface Mount W-DFN2020-3 (Type A)
Инвентаризация:
431 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12989974
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
jaqt
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DXTN10060DFJBWQ-7 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
4 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
320mV @ 200mA, 4A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
340 @ 200mA, 2V
Мощность - Макс
1.8 W
Частота - переход
125MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
3-UDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
W-DFN2020-3 (Type A)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DXTN10060DFJBWQ-7CT
31-DXTN10060DFJBWQ-7TR
31-DXTN10060DFJBWQ-7DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DXTN10060DFJBQ-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1669
Номер части
DXTN10060DFJBQ-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTE293
TRANS NPN 50V 1A TO92L
JANTXV2N3700UB/TR
TRANS NPN 80V 1A 3UB
NTE103
TRANS NPN 24V 0.15A TO204AA
