Производитель Номер продукта:
DRDNB26W-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DRDNB26W-7-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363
Инвентаризация:
12888772
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
yqYy
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DRDNB26W-7 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased + Diode
Ток - коллектор (IC) (макс.)
600 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
220 Ohms
Резистор - база эмиттера (R2)
4.7 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
47 @ 50mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
200 MHz
Мощность - Макс
200 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SOT-363
Базовый номер продукта
DRDNB26
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DRDNB26W7
DRDNB26WDIDKR
DRDNB26WDITR
DRDNB26WDICT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DDTC115TKA-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
DDTA114WE-7-F
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523
DDTC124EE-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
