Производитель Номер продукта:

DMT6009LJ3

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMT6009LJ3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251

Подробное описание:

N-Channel 60 V 74.5A (Tc) 2.9W (Ta), 83.3W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH)

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

12888550

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

VspP

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

DMT6009LJ3 Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

Diodes Incorporated

Упаковка

-

Серия

-

Статус продукта

Obsolete

Тип полевых транзисторов

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

60 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

74.5A (Tc)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ id, vgs

10mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

33.5 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±16V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1925 pF @ 30 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.9W (Ta), 83.3W (Tc)

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления

Through Hole

Комплект устройства поставщика

TO-251 (Type TH)

Упаковка / Чехол

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Базовый номер продукта

DMT6009

Дополнительная информация

Стандартный пакет

75

Другие названия

DMT6009LJ3DI

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Уровень чувствительности к влаге (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

ХИТСУС

8541.29.0095

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

diodes

DMG2305UX-7

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

diodes

DMT6006SPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060

diodes

DMG2307L-7

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

diodes

DMP26M7UFG-13

MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333