Производитель Номер продукта:
DMT6009LJ3
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMT6009LJ3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251
Подробное описание:
N-Channel 60 V 74.5A (Tc) 2.9W (Ta), 83.3W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH)
Инвентаризация:
12888550
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
eAal
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMT6009LJ3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
74.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.9W (Ta), 83.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251 (Type TH)
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
DMT6009
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
DMT6009LJ3DI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
DMT6006SPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
DMG2307L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
