DMN2450UFB4-7R
Производитель Номер продукта:

DMN2450UFB4-7R

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN2450UFB4-7R-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Подробное описание:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3

Инвентаризация:

8052 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12888139
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
5AcN
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN2450UFB4-7R Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
56 pF @ 16 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X2-DFN1006-3
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
DMN2450

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN2450UFB4-7R-DG
31-DMN2450UFB4-7RDKR
31-DMN2450UFB4-7RTR
31-DMN2450UFB4-7RCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMN3067LW-13

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

diodes

DMTH4008LPSQ-13

MOSFET N-CH 40V PWRDI5060

diodes

DMT31M7LPS-13

MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060

diodes

DMT6017LFV-7

MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333