Производитель Номер продукта:
DMN2450UFB4-7R
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN2450UFB4-7R-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Подробное описание:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Инвентаризация:
8052 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12888139
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
GqbS
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN2450UFB4-7R Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
56 pF @ 16 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X2-DFN1006-3
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
DMN2450
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN2450UFB4-7R-DG
31-DMN2450UFB4-7RDKR
31-DMN2450UFB4-7RTR
31-DMN2450UFB4-7RCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3067LW-13
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
DMTH4008LPSQ-13
MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
DMT31M7LPS-13
MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060
