Производитель Номер продукта:
DMN2013UFX-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN2013UFX-7-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 10A (Ta) 2.14W Surface Mount W-DFN5020-6
Инвентаризация:
12891987
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN2013UFX-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
57.4nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2607pF @ 10V
Мощность - Макс
2.14W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-VFDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
W-DFN5020-6
Базовый номер продукта
DMN2013
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN2013UFX-7DITR
DMN2013UFX-7DIDKR
DMN2013UFX-7DICT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMG6301UDW-7
MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
DMC21D1UDA-7B
MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN
DMN2004DWK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
