Производитель Номер продукта:
2N4250A
Product Overview
Производитель:
Central Semiconductor Corp
Номер детали:
2N4250A-DG
Описание:
TRANS PNP 60V TO126
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 200 mW Through Hole TO-126
Инвентаризация:
12791018
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
NuMv
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N4250A Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Central Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
PNP
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 500µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
250 @ 100µA, 5V
Мощность - Макс
200 mW
Частота - переход
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Комплект устройства поставщика
TO-126
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
MJE210G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3156
Номер части
MJE210G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CTLT3410-M621 TR
TRANS NPN 25V 1A TLM621
CZT3904 TR PBFREE
TRANS NPN 40V 0.2A SOT223
2N3565
TRANSISTOR NPN TO-106
